Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > 1N5807US
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
17283491N5807US ImagineMicrosemi

1N5807US

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
117+
$8.353
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    1N5807US
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    1N5807US.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    875mV @ 4A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    50V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    B, SQ-MELF
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    30ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SQ-MELF, B
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 50V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    3A
  • Capacitate @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „1N5807US”.
1N5809US

1N5809US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 6A

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5811TR

1N5811TR

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5806US

1N5806US

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5807

1N5807

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5807

1N5807

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5808

1N5808

Descriere: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5804US

1N5804US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5804

1N5804

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5811

1N5811

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5809US

1N5809US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5805

1N5805

Descriere: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5807US

1N5807US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 6A

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5809

1N5809

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5811C.TR

1N5811C.TR

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5809

1N5809

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 6A

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N5806US

1N5806US

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
1N5804US

1N5804US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Producători: Semtech
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.