Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (ICS) > Memorie > MT47H128M4B6-25E:D TR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5707799MT47H128M4B6-25E:D TR ImagineMicron Technology

MT47H128M4B6-25E:D TR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$15.612
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    MT47H128M4B6-25E:D TR
  • Producator / Marca
    Micron Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    MT47H128M4B6-25E:D TR.pdf
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    15ns
  • Tensiune - Aprovizionare
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnologie
    SDRAM - DDR2
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    60-FBGA
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    60-FBGA
  • Alte nume
    MT47H128M4B6-25E:D TR-ND
    MT47H128M4B6-25E:DTR
  • Temperatura de Operare
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    512Mb (128M x 4)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    DRAM
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • descriere detaliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
  • Frecvența ceasului
    400MHz
  • Numărul părții de bază
    MT47H128M4
  • Timpul de acces
    400ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „MT47H128M4B6-25E:D TR”.
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C

Descriere: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.