Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (IC) > Memorie > EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2097846EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR ImagineMicron Technology

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$4.697
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
  • Producator / Marca
    Micron Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR.pdf
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    -
  • Tensiune - Aprovizionare
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    134-VFBGA
  • Alte nume
    EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR-ND
    EDB5432BEBH-1DIT-F-RTR
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    512Mb (16M x 32)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    DRAM
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • descriere detaliata
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frecvența ceasului
    533MHz

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR”.
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB8132B4PM-1D-F-D

EDB8132B4PM-1D-F-D

Descriere: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Descriere: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Descriere: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Descriere: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Descriere: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB7312

EDB7312

Descriere: KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7

Producători: Cirrus Logic
In stoc
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Descriere: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB8132B4PB-8D-F-R TR

EDB8132B4PB-8D-F-R TR

Descriere: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEPA-1DIT-F-R

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB8132B4PM-1D-F-R TR

EDB8132B4PM-1D-F-R TR

Descriere: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
EDB8132B4PB-8D-F-D

EDB8132B4PB-8D-F-D

Descriere: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producători: Micron Technology
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.