Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > UM6J1NTN
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
977048

UM6J1NTN

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.168
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    UM6J1NTN
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.UM6J1NTN.pdf
    2.UM6J1NTN.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    UMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 200mA, 10V
  • Putere - Max
    150mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Alte nume
    UM6J1NTNTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    200mA
  • Numărul părții de bază
    *J1

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „UM6J1NTN”.
UM6K1NTN

UM6K1NTN

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
AO4614A

AO4614A

Descriere: MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8-SOIC

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
DMC2041UFDB-13

DMC2041UFDB-13

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
UM6K31NTN

UM6K31NTN

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
UM6K33NTN

UM6K33NTN

Descriere: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
PMDXB550UNEZ

PMDXB550UNEZ

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
UM6K34NTCN

UM6K34NTCN

Descriere: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
UM62609LSET

UM62609LSET

Descriere: BOX ABS GRAY 10.19"L X 11.45"W

Producători: Bopla Enclosures
In stoc
RFQ
ECH8655R-TL-H

ECH8655R-TL-H

Descriere: MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF7328TR

IRF7328TR

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
UM6606SM

UM6606SM

Descriere: DIODE PIN 800V SM

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
UM62009LSET

UM62009LSET

Descriere: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Producători: Bopla Enclosures
In stoc
RFQ
AO6804A_101

AO6804A_101

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
AON6996

AON6996

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
UM62009TALLSET

UM62009TALLSET

Descriere: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Producători: Bopla Enclosures
In stoc
RFQ
UM62009SHORTSET

UM62009SHORTSET

Descriere: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Producători: Bopla Enclosures
In stoc
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
UM6K31NFHATCN

UM6K31NFHATCN

Descriere: 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.