Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SP8K31TB1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
268855

SP8K31TB1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.578
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SP8K31TB1
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SP8K31TB1.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Putere - Max
    2W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.5A
  • Numărul părții de bază
    *K31

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SP8K31TB1”.
SP8K2TB

SP8K2TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K3TB

SP8K3TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K5FU6TB

SP8K5FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K31FRATB

SP8K31FRATB

Descriere: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8M10FU6TB

SP8M10FU6TB

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K24FRATB

SP8K24FRATB

Descriere: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K3FU6TB

SP8K3FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K22FU6TB

SP8K22FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K1TB

SP8K1TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K32FRATB

SP8K32FRATB

Descriere: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K5TB

SP8K5TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K4TB

SP8K4TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K33FRATB

SP8K33FRATB

Descriere: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K22FRATB

SP8K22FRATB

Descriere: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K52FRATB

SP8K52FRATB

Descriere: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8J66TB1

SP8J66TB1

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K2FU6TB

SP8K2FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SP8K24FU6TB

SP8K24FU6TB

Descriere: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.