Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RUU002N05T106
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4152943RUU002N05T106 ImagineLAPIS Semiconductor

RUU002N05T106

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.42
10+
$0.385
100+
$0.216
500+
$0.115
1000+
$0.079
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RUU002N05T106
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    RUU002N05T106.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    UMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    200mW (Ta)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    SC-70, SOT-323
  • Alte nume
    RUU002N05T106DKR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.2V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    50V
  • descriere detaliata
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RUU002N05T106”.
2SK2503TL

2SK2503TL

Descriere: MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Descriere: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FCPF9N60NTYDTU

FCPF9N60NTYDTU

Descriere: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FDB2710

FDB2710

Descriere: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
AOT282L

AOT282L

Descriere: MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
IRL3714LPBF

IRL3714LPBF

Descriere: MOSFET N-CH 20V 36A TO-262

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
N0602N-S19-AY

N0602N-S19-AY

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Descriere: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXTQ44P15T

IXTQ44P15T

Descriere: MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
STB13N80K5

STB13N80K5

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
NTTFS5116PLTAG

NTTFS5116PLTAG

Descriere: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
STD3LN62K3

STD3LN62K3

Descriere: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
IRL3103LPBF

IRL3103LPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTMFS6B05NT3G

NTMFS6B05NT3G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.