Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RUC002N05HZGT116
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6925394RUC002N05HZGT116 ImagineLAPIS Semiconductor

RUC002N05HZGT116

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.24
10+
$0.222
100+
$0.124
500+
$0.067
1000+
$0.045
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RUC002N05HZGT116
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    1.2V DRIVE NCH MOSFET
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RUC002N05HZGT116.pdf
    2.RUC002N05HZGT116.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Distrugerea puterii (Max)
    350mW (Ta)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    RUC002N05HZGT116DKR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.2V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    50V
  • descriere detaliata
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RUC002N05HZGT116”.
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RUC0D331MLG

RUC0D331MLG

Descriere: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Producători: Nichicon
In stoc
RFQ
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
PSMN4R0-60YS,115

PSMN4R0-60YS,115

Descriere: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
IRF7425PBF

IRF7425PBF

Descriere: MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RUC002N05T116

RUC002N05T116

Descriere: MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF3704STRR

IRF3704STRR

Descriere: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Descriere: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13

Descriere: MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SSM6J216FE,LF

SSM6J216FE,LF

Descriere: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
IXTQ140N10P

IXTQ140N10P

Descriere: MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
STH265N6F6-6AG

STH265N6F6-6AG

Descriere: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
IRFIBC30G

IRFIBC30G

Descriere: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RUC0D271MLG

RUC0D271MLG

Descriere: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Producători: Nichicon
In stoc
RFQ
NTTFS4985NFTAG

NTTFS4985NFTAG

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPA80R360P7XKSA1

IPA80R360P7XKSA1

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

Descriere: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
BUK763R4-30B,118

BUK763R4-30B,118

Descriere: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
APT5012JN

APT5012JN

Descriere: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

Descriere: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Producători: Transphorm
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.