Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RTF025N03FRATL
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4657011RTF025N03FRATL ImagineLAPIS Semiconductor

RTF025N03FRATL

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.53
10+
$0.417
100+
$0.286
500+
$0.196
1000+
$0.147
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RTF025N03FRATL
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    2.5V DRIVE NCH MOSFET
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RTF025N03FRATL.pdf
    2.RTF025N03FRATL.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TUMT3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    67 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    800mW (Ta)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    3-SMD, Flat Leads
  • Alte nume
    RTF025N03FRATLDKR
  • Temperatura de Operare
    150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RTF025N03FRATL”.
IPP60R380C6XKSA1

IPP60R380C6XKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RTFD12B

RTFD12B

Descriere: GASKET PANEL SHELL SIZE 12

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
RTFD14B

RTFD14B

Descriere: GASKET PANEL SHELL SIZE 14

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
RTF010P02TL

RTF010P02TL

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RTF025N03TL

RTF025N03TL

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

Descriere: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NMSD200B01-7

NMSD200B01-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RTF015N03TL

RTF015N03TL

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

Descriere: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
RTF020P02TL

RTF020P02TL

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RTFD18B

RTFD18B

Descriere: GASKET PANEL SHELL SIZE 18

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
RTFD10B

RTFD10B

Descriere: GASKET PANEL SHELL SIZE 10

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
RTFD16B

RTFD16B

Descriere: GASKET PANEL SHELL SIZE 16

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
RTF015P02TL

RTF015P02TL

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RTF016N05TL

RTF016N05TL

Descriere: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RTFD24B

RTFD24B

Descriere: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 24

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

Descriere: FET ENGR DEV-NOT REL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 90A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RTFD20B

RTFD20B

Descriere: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 20

Producători: Amphenol Tuchel Electronics
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.