Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RS3E095BNGZETB
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4447776

RS3E095BNGZETB

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RS3E095BNGZETB
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    RS3E095BNGZETBCT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RS3E095BNGZETB”.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Descriere: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.