Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RQ3G150GNTB
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4901771

RQ3G150GNTB

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.34
10+
$1.187
100+
$0.938
500+
$0.727
1000+
$0.574
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RQ3G150GNTB
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RQ3G150GNTB.pdf
    2.RQ3G150GNTB.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 15A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    20W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    8-PowerVDFN
  • Alte nume
    RQ3G150GNTBDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    40 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1450pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    11.6nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 39A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    39A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RQ3G150GNTB”.
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Descriere: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Descriere: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.