Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RQ1E070RPTR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
421475RQ1E070RPTR ImagineLAPIS Semiconductor

RQ1E070RPTR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.30
10+
$1.153
100+
$0.911
500+
$0.707
1000+
$0.558
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RQ1E070RPTR
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RQ1E070RPTR.pdf
    2.RQ1E070RPTR.pdf
    3.RQ1E070RPTR.pdf
    4.RQ1E070RPTR.pdf
    5.RQ1E070RPTR.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    550mW (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-SMD, Flat Lead
  • Alte nume
    RQ1E070RPCT
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RQ1E070RPTR”.
IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Descriere: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS6680S

FDS6680S

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Descriere: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
STW30NM60D

STW30NM60D

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BUK6Y15-40PX

BUK6Y15-40PX

Descriere: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Descriere: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
NTR4501NT1

NTR4501NT1

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IXTA90N055T2

IXTA90N055T2

Descriere: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Descriere: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK9Y6R0-60E,115

BUK9Y6R0-60E,115

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
AOTF10N50FD_001

AOTF10N50FD_001

Descriere: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Descriere: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Descriere: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
2N7002WKX-13

2N7002WKX-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
STB100NH02LT4

STB100NH02LT4

Descriere: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.