Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RND030N20TL
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1442865RND030N20TL ImagineLAPIS Semiconductor

RND030N20TL

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.329
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RND030N20TL
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    RND030N20TL.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    CPT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    870 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    850mW (Ta), 20W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    RND030N20TLTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    6.7nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RND030N20TL”.
BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

Descriere: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
RND02ZGE-M6

RND02ZGE-M6

Descriere: DC DC CONVERTER 3.27V 5.2V 10W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
FDU8796

FDU8796

Descriere: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BSP320SH6327XTSA1

BSP320SH6327XTSA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPI120N04S402AKSA1

IPI120N04S402AKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FQA13N50C-F109

FQA13N50C-F109

Descriere: MOSFET N-CH 500V 13.5A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RND0.8ZHH-M6

RND0.8ZHH-M6

Descriere: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
RND0.8ZHH-M6G

RND0.8ZHH-M6G

Descriere: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Descriere: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
IXKN45N80C

IXKN45N80C

Descriere: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
SUP53P06-20-E3

SUP53P06-20-E3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RND02ZGG-M6

RND02ZGG-M6

Descriere: DC DC CONVERTER +/-5.1V 10W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
BSZ0502NSIATMA1

BSZ0502NSIATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF740LCSTRL

IRF740LCSTRL

Descriere: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR

Descriere: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
PMN40ENEX

PMN40ENEX

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.