Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > RFN30TS6SGC11
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2613404RFN30TS6SGC11 ImagineLAPIS Semiconductor

RFN30TS6SGC11

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$4.01
10+
$3.582
100+
$2.938
500+
$2.379
1000+
$2.006
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RFN30TS6SGC11
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RFN30TS6SGC11.pdf
    2.RFN30TS6SGC11.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.55V @ 30A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    600V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    60ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Temperatura de funcționare - Junction
    150°C (Max)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    10µA @ 600V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    30A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RFN30TS6SGC11”.
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Descriere: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Descriere: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Descriere: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Descriere: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Descriere: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Descriere: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Descriere: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Descriere: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Descriere: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.