Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RDN050N20FU6
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
74020RDN050N20FU6 ImagineLAPIS Semiconductor

RDN050N20FU6

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
500+
$0.902
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RDN050N20FU6
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    RDN050N20FU6.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220FN
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    720 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    30W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-220-3 Full Pack
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    292pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18.6nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RDN050N20FU6”.
NIF9N05CLT3

NIF9N05CLT3

Descriere: MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NVTFS5116PLWFTAG

NVTFS5116PLWFTAG

Descriere: MOSFET P-CH 60V 14A U8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Descriere: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFS4925NET1G

NTMFS4925NET1G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SPD08N50C3BTMA1

SPD08N50C3BTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Descriere: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Descriere: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRLL3303TRPBF

IRLL3303TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FQB3N90TM

FQB3N90TM

Descriere: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRLR7821TRPBF

IRLR7821TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Descriere: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

Descriere: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
STP28N60M2

STP28N60M2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO-220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Descriere: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SPP20N60S5HKSA1

SPP20N60S5HKSA1

Descriere: HIGH POWER_LEGACY

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Descriere: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.