Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6009ENJTL
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1641672R6009ENJTL ImagineLAPIS Semiconductor

R6009ENJTL

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$3.05
10+
$2.753
100+
$2.212
500+
$1.72
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6009ENJTL
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.R6009ENJTL.pdf
    2.R6009ENJTL.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    LPTS (D2PAK)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    535 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    40W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    R6009ENJTLCT
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6009ENJTL”.
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6008-00

R6008-00

Descriere: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Producători: Harwin
In stoc
RFQ
R60100-1STR

R60100-1STR

Descriere: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60100-1CR

R60100-1CR

Descriere: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

Descriere: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Descriere: GASKET

Producători: Hammond Manufacturing
In stoc
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

Descriere: GASKET

Producători: Hammond Manufacturing
In stoc
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

Descriere: GASKET

Producători: Hammond Manufacturing
In stoc
RFQ
R6009-00

R6009-00

Descriere: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Producători: Harwin
In stoc
RFQ
R6010-00

R6010-00

Descriere: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Producători: Harwin
In stoc
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.