Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > QH8MA2TCR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5585751QH8MA2TCR ImagineLAPIS Semiconductor

QH8MA2TCR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.59
10+
$0.493
100+
$0.37
500+
$0.271
1000+
$0.209
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    QH8MA2TCR
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.QH8MA2TCR.pdf
    2.QH8MA2TCR.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Putere - Max
    1.25W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-SMD, Flat Lead
  • Alte nume
    QH8MA2TCRCT
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    365pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.5A, 3A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „QH8MA2TCR”.
DMN2050LFDB-13

DMN2050LFDB-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
NX6020CAKSX

NX6020CAKSX

Descriere: MOSFET N/P-CH TSSOP6

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
QH8MA4TCR

QH8MA4TCR

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
QH8JA1TCR

QH8JA1TCR

Descriere: 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

Descriere: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
UPA2372T1P-E4-A

UPA2372T1P-E4-A

Descriere: TRANSISTOR

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
FDG6301N_D87Z

FDG6301N_D87Z

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
UM5K1NTR

UM5K1NTR

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
AON6922

AON6922

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
QH8KA2TCR

QH8KA2TCR

Descriere: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
QH8KA1TCR

QH8KA1TCR

Descriere: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
NTHD4508NT1G

NTHD4508NT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FC8V33030L

FC8V33030L

Descriere: MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ALD1101ASAL

ALD1101ASAL

Descriere: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Producători: Advanced Linear Devices, Inc.
In stoc
RFQ
CSD87381PT

CSD87381PT

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

Producători: Luminary Micro / Texas Instruments
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.