Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI4435DYPBF
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4927344SI4435DYPBF ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DYPBF

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.93
10+
$0.822
100+
$0.63
500+
$0.498
1000+
$0.398
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4435DYPBF
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI4435DYPBF.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SP001569846
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4435DYPBF”.
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Descriere: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Descriere: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Descriere: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Descriere: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Descriere: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.