Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPD800N06NGBTMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1946575IPD800N06NGBTMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD800N06NGBTMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPD800N06NGBTMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPD800N06NGBTMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 16µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 16A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    47W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    IPD800N06NG
    IPD800N06NGBTMA1CT
    IPD800N06NGINCT
    IPD800N06NGINCT-ND
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 16A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPD800N06NGBTMA1”.
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R900P7SAUMA1

IPD70R900P7SAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Descriere: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Descriere: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Descriere: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R600CEAUMA1

IPD70R600CEAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD75N04S406ATMA1

IPD75N04S406ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD70R2K0CEAUMA1

IPD70R2K0CEAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.