Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPD65R1K4CFDBTMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5518871IPD65R1K4CFDBTMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R1K4CFDBTMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.523
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPD65R1K4CFDBTMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    28.4W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    IPD65R1K4CFDBTMA1TR
    SP000953126
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    262pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 2.8A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPD65R1K4CFDBTMA1”.
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R380E6BTMA1

IPD65R380E6BTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R250C6XTMA1

IPD65R250C6XTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R1K4C6ATMA1

IPD65R1K4C6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R380C6ATMA1

IPD65R380C6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD60R950C6

IPD60R950C6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD64CN10N G

IPD64CN10N G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R380C6BTMA1

IPD65R380C6BTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R1K0CEAUMA1

IPD65R1K0CEAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD640N06LGBTMA1

IPD640N06LGBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 18A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1

Descriere: CONSUMER

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R420CFDAATMA1

IPD65R420CFDAATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD65R250E6XTMA1

IPD65R250E6XTMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD60R800CEATMA1

IPD60R800CEATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.