Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPD50R950CEATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6243501IPD50R950CEATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R950CEATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.216
5000+
$0.202
12500+
$0.188
25000+
$0.179
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPD50R950CEATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.IPD50R950CEATMA1.pdf
    2.IPD50R950CEATMA1.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™ CE
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    950 mOhm @ 1.2A, 13V
  • Distrugerea puterii (Max)
    53W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    IPD50R950CEATMA1-ND
    IPD50R950CEATMA1TR
    SP001117712
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    231pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    13V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    500V
  • descriere detaliata
    N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPD50R950CEATMA1”.
IPD50R650CEBTMA1

IPD50R650CEBTMA1

Descriere: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R800CEBTMA1

IPD50R800CEBTMA1

Descriere: MOSFET N CH 500V 5A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R520CPBTMA1

IPD50R520CPBTMA1

Descriere: LOW POWER_LEGACY

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R520CPATMA1

IPD50R520CPATMA1

Descriere: LOW POWER_LEGACY

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R800CEAUMA1

IPD50R800CEAUMA1

Descriere: CONSUMER

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R500CEBTMA1

IPD50R500CEBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD530N15N3GBTMA1

IPD530N15N3GBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R650CEATMA1

IPD50R650CEATMA1

Descriere: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R800CEATMA1

IPD50R800CEATMA1

Descriere: MOSFET N CH 500V 5A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R650CEAUMA1

IPD50R650CEAUMA1

Descriere: CONSUMER

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD5N25S3430ATMA1

IPD5N25S3430ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 21A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 250V 25A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R950CEBTMA1

IPD50R950CEBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R950CEAUMA1

IPD50R950CEAUMA1

Descriere: CONSUMER

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD5N03LAG

IPD5N03LAG

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD50R520CP

IPD50R520CP

Descriere: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.