Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPD12CN10NGBUMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1656768IPD12CN10NGBUMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGBUMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPD12CN10NGBUMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPD12CN10NGBUMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.4 mOhm @ 67A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    125W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    IPD12CN10N G
    IPD12CN10N G-ND
    IPD12CN10NGBUMA1TR
    SP000096476
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPD12CN10NGBUMA1”.
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Descriere: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 59A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Descriere: LV POWER MOS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 45A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.