Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB60R080P7ATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
42738IPB60R080P7ATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R080P7ATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$6.39
10+
$5.708
100+
$4.68
500+
$3.79
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB60R080P7ATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    IPB60R080P7ATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 590µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 11.8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    129W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB60R080P7ATMA1CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2180pF @ 400V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB60R080P7ATMA1”.
IPB50R250CPATMA1

IPB50R250CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB600N25N3GATMA1

IPB600N25N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB50R140CPATMA1

IPB50R140CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB50N12S3L15ATMA1

IPB50N12S3L15ATMA1

Descriere: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.