Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB22N03S4L15ATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
949967IPB22N03S4L15ATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB22N03S4L15ATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$0.995
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB22N03S4L15ATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB22N03S4L15ATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 10µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 22A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    31W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB22N03S4L-15
    IPB22N03S4L-15-ND
    IPB22N03S4L-15INTR
    IPB22N03S4L-15INTR-ND
    IPB22N03S4L15ATMA1TR
    SP000275308
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 22A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB22N03S4L15ATMA1”.
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

Descriere: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Descriere: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G

Descriere: MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Descriere: MOSFET P-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Descriere: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

Descriere: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.