Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB144N12N3GATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4304281IPB144N12N3GATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB144N12N3GATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$2.00
10+
$1.806
100+
$1.451
500+
$1.129
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB144N12N3GATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB144N12N3GATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 61µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 56A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    107W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB144N12N3 GDKR
    IPB144N12N3 GDKR-ND
    IPB144N12N3GATMA1DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3220pF @ 60V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    120V
  • descriere detaliata
    N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    56A (Ta)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB144N12N3GATMA1”.
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Descriere: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Descriere: MOSFET P-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Descriere: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Descriere: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Descriere: MOSFET N-CH TO262-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Descriere: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.