Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB120N06N G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6725503IPB120N06N G ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N06N G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB120N06N G
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB120N06N G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 94µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.7 mOhm @ 75A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    158W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB120N06NG
    IPB120N06NGINCT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 75A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB120N06N G”.
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N06S402ATMA1

IPB120N06S402ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.