Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB108N15N3GATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4912724IPB108N15N3GATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB108N15N3GATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$5.23
10+
$4.669
100+
$3.829
500+
$3.10
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB108N15N3GATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB108N15N3GATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.8 mOhm @ 83A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    214W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB108N15N3 GDKR
    IPB108N15N3 GDKR-ND
    IPB108N15N3GATMA1DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3230pF @ 75V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    8V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    150V
  • descriere detaliata
    N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    83A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB108N15N3GATMA1”.
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Descriere: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Producători: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Descriere: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Descriere: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Descriere: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.