Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB034N06L3GATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4031032IPB034N06L3GATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB034N06L3GATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.88
10+
$1.70
100+
$1.366
500+
$1.062
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB034N06L3GATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB034N06L3GATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 93µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 90A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    167W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB034N06L3 GDKR
    IPB034N06L3 GDKR-ND
    IPB034N06L3GATMA1DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    79nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB034N06L3GATMA1”.
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Descriere: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Producători: Infineon Technologies
In stoc
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.