Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB022N04LGATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1566570IPB022N04LGATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB022N04LGATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB022N04LGATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB022N04LGATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 95µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 90A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    167W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB022N04L G
    IPB022N04L G-ND
    IPB022N04L GTR-ND
    IPB022N04LGATMA1TR
    SP000391497
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    166nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB022N04LGATMA1”.
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.