Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB015N04NGATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4694573IPB015N04NGATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB015N04NGATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$4.88
10+
$4.355
100+
$3.571
500+
$2.891
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB015N04NGATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB015N04NGATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    250W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB015N04N GCT
    IPB015N04N GCT-ND
    IPB015N04NGATMA1CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    20000pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB015N04NGATMA1”.
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB010N06NATMA1

IPB010N06NATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.