Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > BSF077N06NT3GXUMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
56476BSF077N06NT3GXUMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSF077N06NT3GXUMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    BSF077N06NT3GXUMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    BSF077N06NT3GXUMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 33µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.2W (Ta), 38W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    3-WDSON
  • Alte nume
    BSF077N06NT3 G
    BSF077N06NT3 G-ND
    BSF077N06NT3 GTR-ND
    BSF077N06NT3GXUMA1TR
    SP000605968
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3700pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta), 56A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „BSF077N06NT3GXUMA1”.
BSF053N03LT G

BSF053N03LT G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTTFS4C13NTWG

NTTFS4C13NTWG

Descriere: MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Descriere: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FQPF13N06

FQPF13N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSF

BSF

Descriere: 9V FEMALE SNAP 6-SIDED

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF720STRL

IRF720STRL

Descriere: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BSF045N03MQ3 G

BSF045N03MQ3 G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSF-HD

BSF-HD

Descriere: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
RFP50N05L

RFP50N05L

Descriere: MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
AOD456A

AOD456A

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A TO-252

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.