Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > BSC011N03LSIATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6254848BSC011N03LSIATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSC011N03LSIATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
5000+
$1.023
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    BSC011N03LSIATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    BSC011N03LSIATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1 mOhm @ 30A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerTDFN
  • Alte nume
    BSC011N03LSI
    BSC011N03LSI-ND
    BSC011N03LSIATMA1TR
    BSC011N03LSITR-ND
    SP000884574
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4300pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    37A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „BSC011N03LSIATMA1”.
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1

Descriere: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC010NE2LSIATMA1

BSC010NE2LSIATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

Descriere: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC010N04LSCATMA1

BSC010N04LSCATMA1

Descriere: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014N03LSGATMA1

BSC014N03LSGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC014N03MSGATMA1

BSC014N03MSGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC010N04LSTATMA1

BSC010N04LSTATMA1

Descriere: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

Descriere: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.