Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > MEO550-02DA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3691371MEO550-02DA ImagineIXYS Corporation

MEO550-02DA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$72.25
10+
$67.875
25+
$64.809
100+
$61.306
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    MEO550-02DA
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    MEO550-02DA.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.25V @ 520A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    Y4-M6
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    200ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    Y4-M6
  • Alte nume
    MEO55002DA
    Q1147009A
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -40°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 200V 582A Chassis Mount Y4-M6
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5mA @ 200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    582A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „MEO550-02DA”.
VS-30WQ03FNTRLPBF

VS-30WQ03FNTRLPBF

Descriere: DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
EGP10F-E3/73

EGP10F-E3/73

Descriere: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ES1GRX

ES1GRX

Descriere: ES1GR SOD123 SOD2

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
DL4935-13

DL4935-13

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A MELF

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RB168LAM-40TFTR

RB168LAM-40TFTR

Descriere: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SFS1008GHMNG

SFS1008GHMNG

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
SBRB1045T4G

SBRB1045T4G

Descriere: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N4934GPHE3/73

1N4934GPHE3/73

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
STTH212RL

STTH212RL

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
1PS76SB40,115

1PS76SB40,115

Descriere: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Descriere: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SBLB10L30-E3/45

SBLB10L30-E3/45

Descriere: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BAT54-HE3-08

BAT54-HE3-08

Descriere: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
HER302G B0G

HER302G B0G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
VS-SDD270M04MPBF

VS-SDD270M04MPBF

Descriere: MOD DIODE MAP COMPRESSED

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
S1GHE3/5AT

S1GHE3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
MEO450-12DA

MEO450-12DA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
BAV16W-7-F

BAV16W-7-F

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
MEO500-06DA

MEO500-06DA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
SR503HB0G

SR503HB0G

Descriere: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.