Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXTA3N110
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
458381IXTA3N110 ImagineIXYS Corporation

IXTA3N110

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
50+
$5.848
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXTA3N110
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXTA3N110.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263 (IXTA)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    150W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    14 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1100V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXTA3N110”.
IXTA380N036T4-7

IXTA380N036T4-7

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N150HV

IXTA3N150HV

Descriere: MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA44N25T

IXTA44N25T

Descriere: MOSFET N-CH 250V 44A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA36P15P

IXTA36P15P

Descriere: MOSFET P-CH 150V 36A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA36N30P

IXTA36N30P

Descriere: MOSFET N-CH 300V 36A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N50D2

IXTA3N50D2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N100P

IXTA3N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA38N15T

IXTA38N15T

Descriere: MOSFET N-CH 150V 38A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N60P

IXTA3N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA36N30T

IXTA36N30T

Descriere: MOSFET N-CH 300V 36A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N50P

IXTA3N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N120

IXTA3N120

Descriere: MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA42N25P

IXTA42N25P

Descriere: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA36N20T

IXTA36N20T

Descriere: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N120HV

IXTA3N120HV

Descriere: MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA34N65X2

IXTA34N65X2

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA44N30T

IXTA44N30T

Descriere: MOSFET N-CH 300V 44A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA3N120TRL

IXTA3N120TRL

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.