Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXKC19N60C5
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6893967

IXKC19N60C5

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
50+
$6.766
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXKC19N60C5
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXKC19N60C5.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 1.1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ISOPLUS220™
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 16A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    -
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    ISOPLUS220™
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Super Junction
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 19A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXKC19N60C5”.
IXK611S1T/R

IXK611S1T/R

Descriere: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXK611S1

IXK611S1

Descriere: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKH20N60C5

IXKH20N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKH24N60C5

IXKH24N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXK611P1

IXK611P1

Descriere: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8DIP

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKC40N60C

IXKC40N60C

Descriere: MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKK85N60C

IXKK85N60C

Descriere: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKH35N60C5

IXKH35N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKC13N80C

IXKC13N80C

Descriere: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKC23N60C5

IXKC23N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKC15N60C5

IXKC15N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKC25N80C

IXKC25N80C

Descriere: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKH30N60C5

IXKH30N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKH70N60C5

IXKH70N60C5

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKN40N60C

IXKN40N60C

Descriere: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKN45N80C

IXKN45N80C

Descriere: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKC20N60C

IXKC20N60C

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKG25N80C

IXKG25N80C

Descriere: MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXKH47N60C

IXKH47N60C

Descriere: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.