Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFQ12N80P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5291382IXFQ12N80P ImagineIXYS Corporation

IXFQ12N80P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$4.037
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFQ12N80P
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFQ12N80P.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5.5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-3P
  • Serie
    HiPerFET™, PolarHT™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    360W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    14 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2800pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFQ12N80P”.
IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2

Descriere: 500V POLAR2 HIPERFETS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP8N50PM

IXFP8N50PM

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP90N20X3M

IXFP90N20X3M

Descriere: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ21N50Q

IXFQ21N50Q

Descriere: MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ14N80P

IXFQ14N80P

Descriere: MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP8N65X2

IXFP8N65X2

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP8N85X

IXFP8N85X

Descriere: MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP90N20X3

IXFP90N20X3

Descriere: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ10N80P

IXFQ10N80P

Descriere: MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP8N50P3

IXFP8N50P3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ26N50

IXFQ26N50

Descriere: MOSFET N-CH 500V 26A TO-30

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ23N60Q

IXFQ23N60Q

Descriere: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP80N25X3

IXFP80N25X3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ20N50P3

IXFQ20N50P3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ120N25X3

IXFQ120N25X3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ22N60P3

IXFQ22N60P3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ24N60X

IXFQ24N60X

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ24N50Q

IXFQ24N50Q

Descriere: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFQ140N20X3

IXFQ140N20X3

Descriere: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP8N85XM

IXFP8N85XM

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.