Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN80N60P3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2244632IXFN80N60P3 ImagineIXYS Corporation

IXFN80N60P3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$24.38
10+
$22.552
100+
$19.26
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN80N60P3
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFN80N60P3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™, Polar3™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 40A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    960W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    Not Applicable
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    13100pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    66A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN80N60P3”.
IXFP102N15T

IXFP102N15T

Descriere: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP10N80P

IXFP10N80P

Descriere: MOSFET N-CH 800V 10A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Descriere: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN70N120SK

IXFN70N120SK

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN80N48

IXFN80N48

Descriere: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP10N60P

IXFP10N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN90N85X

IXFN90N85X

Descriere: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

Descriere: 500V POLAR2 HIPERFETS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP12N50P

IXFP12N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Descriere: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN90N30

IXFN90N30

Descriere: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN80N50

IXFN80N50

Descriere: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN82N60P

IXFN82N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Descriere: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN73N30

IXFN73N30

Descriere: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.