Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN60N80P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4207652IXFN60N80P ImagineIXYS Corporation

IXFN60N80P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$28.10
10+
$25.993
30+
$23.885
100+
$22.199
250+
$20.373
500+
$19.389
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN60N80P
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFN60N80P.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    PolarHV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140 mOhm @ 30A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1040W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    18000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    53A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN60N80P”.
IXFN50N120SK

IXFN50N120SK

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN64N60P

IXFN64N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN64N50P

IXFN64N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

Descriere: MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN70N120SK

IXFN70N120SK

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

Descriere: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN520N075T2

IXFN520N075T2

Descriere: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN60N60

IXFN60N60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN50N50

IXFN50N50

Descriere: MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Descriere: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN64N50PD3

IXFN64N50PD3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN66N85X

IXFN66N85X

Descriere: 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN55N50

IXFN55N50

Descriere: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN56N90P

IXFN56N90P

Descriere: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN55N50F

IXFN55N50F

Descriere: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

Producători: IXYS RF
In stoc
RFQ
IXFN64N50PD2

IXFN64N50PD2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN52N90P

IXFN52N90P

Descriere: MOSFET N-CH 900V 43A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.