Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN210N20P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2620207IXFN210N20P ImagineIXYS Corporation

IXFN210N20P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$34.80
10+
$32.19
30+
$29.58
100+
$27.492
250+
$25.23
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN210N20P
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFN210N20P.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 105A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1070W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    18600pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    255nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 188A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    188A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN210N20P”.
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Descriere: FET N-CHANNEL

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Descriere: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Descriere: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Descriere: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Descriere: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Descriere: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Descriere: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Descriere: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Producători: IXYS
In stoc
RFQ
IXFN20N120

IXFN20N120

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Descriere: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N20

IXFN180N20

Descriere: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Descriere: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.