Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN150N10
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
457461IXFN150N10 ImagineIXYS Corporation

IXFN150N10

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN150N10
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    IXFN150N10.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 75A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    520W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    360nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 150A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    150A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN150N10”.
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN120N20

IXFN120N20

Descriere: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN160N30T

IXFN160N30T

Descriere: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN110N85X

IXFN110N85X

Descriere: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN140N20P

IXFN140N20P

Descriere: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN120N25

IXFN120N25

Descriere: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN132N50P3

IXFN132N50P3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN170N30P

IXFN170N30P

Descriere: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN130N30

IXFN130N30

Descriere: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN150N65X2

IXFN150N65X2

Descriere: MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Descriere: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN170N10

IXFN170N10

Descriere: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN150N15

IXFN150N15

Descriere: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Descriere: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN140N25T

IXFN140N25T

Descriere: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

Descriere: MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.