Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - IGBT - Single > IXER35N120D1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4147660IXER35N120D1 ImagineIXYS Corporation

IXER35N120D1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXER35N120D1
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IGBT 1200V 50A 200W TO247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXER35N120D1.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    1200V
  • Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 35A
  • Starea testului
    600V, 35A, 39 Ohm, 15V
  • Td (pornire / oprire) @ 25 ° C
    -
  • Comutarea energiei
    5.4mJ (on), 2.6mJ (off)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ISOPLUS247™
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    80ns
  • Putere - Max
    200W
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    ISOPLUS247™
  • Alte nume
    Q1370333
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip de introducere
    Standard
  • Tip IGBT
    NPT
  • Chargeul porții
    150nC
  • descriere detaliata
    IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    50A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXER35N120D1”.
IXEH40N120

IXEH40N120

Descriere: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IRGP6640DPBF

IRGP6640DPBF

Descriere: IGBT 600V 53A 200W TO247AC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXEL40N400

IXEL40N400

Descriere: IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXE611S1T/R

IXE611S1T/R

Descriere: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IRG4BC20FD

IRG4BC20FD

Descriere: IGBT 600V 16A 60W TO220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRG7CH73UED-R

IRG7CH73UED-R

Descriere: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXE611P1

IXE611P1

Descriere: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Descriere: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IXEN60N120D1

IXEN60N120D1

Descriere: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXEN60N120

IXEN60N120

Descriere: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXEH25N120D1

IXEH25N120D1

Descriere: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
RGT16NS65DGTL

RGT16NS65DGTL

Descriere: IGBT 650V 16A 94W TO-263S

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IXEH40N120D1

IXEH40N120D1

Descriere: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXXX100N60C3H1

IXXX100N60C3H1

Descriere: IGBT 600V 170A 695W PLUS247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXE611S1

IXE611S1

Descriere: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

Descriere: IGBT 650V 70A 234W TO-247N

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SGS10N60RUFDTU

SGS10N60RUFDTU

Descriere: IGBT 600V 16A 55W TO220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Descriere: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
IXEH25N120

IXEH25N120

Descriere: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXER60N120

IXER60N120

Descriere: IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.