Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - IGBT - Single > IXBR42N170
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2119537IXBR42N170 ImagineIXYS Corporation

IXBR42N170

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$32.844
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXBR42N170
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXBR42N170.pdf
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    1700V
  • Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 42A
  • Starea testului
    -
  • Td (pornire / oprire) @ 25 ° C
    -
  • Comutarea energiei
    -
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ISOPLUS247™
  • Serie
    BIMOSFET™
  • Timp de recuperare invers (trr)
    1.32µs
  • Putere - Max
    200W
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    ISOPLUS247™
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip de introducere
    Standard
  • Tip IGBT
    -
  • Chargeul porții
    188nC
  • descriere detaliata
    IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Curent - colector pulsat (Icm)
    300A
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    57A
  • Numărul părții de bază
    IXB*42N170

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXBR42N170”.
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Descriere: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Descriere: THYRISTOR RADIAL

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Descriere: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-08

IXBOD2-08

Descriere: BREAKOVER DIODE

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Descriere: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-10

IXBOD2-10

Descriere: BREAKOVER DIODE

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

Descriere: BREAKOVER DIODE

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Descriere: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Descriere: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Descriere: IGBT

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Descriere: THYRISTOR RADIAL

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

Descriere: BREAKOVER DIODE

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

Descriere: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-09

IXBOD2-09

Descriere: BREAKOVER DIODE

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

Descriere: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Descriere: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Descriere: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Descriere: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Descriere: THYRISTOR RADIAL

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Descriere: BREAKOVER DIODE

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.