Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (IC) > Memorie > 70V3589S133BC8
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
526893170V3589S133BC8 ImagineIDT (Integrated Device Technology)

70V3589S133BC8

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$74.516
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    70V3589S133BC8
  • Producator / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    1.70V3589S133BC8.pdf
    2.70V3589S133BC8.pdf
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    -
  • Tensiune - Aprovizionare
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    256-LBGA
  • Alte nume
    IDT70V3589S133BC8
    IDT70V3589S133BC8-ND
  • Temperatura de Operare
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    2Mb (64K x 36)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    SRAM
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • descriere detaliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • Frecvența ceasului
    133MHz
  • Numărul părții de bază
    IDT70V3589
  • Timpul de acces
    4.2ns

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „70V3589S133BC8”.
70V3589S133DR

70V3589S133DR

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BCI

70V3589S133BCI

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133DRG

70V3589S133DRG

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BCI8

70V3589S133BCI8

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BF

70V3589S133BF

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BFI8

70V3589S133BFI8

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BF8

70V3589S133BF8

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133BFI

70V3589S133BFI

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133DRGI

70V3589S133DRGI

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3589S133DRG8

70V3589S133DRG8

Descriere: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S6DR

70V3579S6DR

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.