Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (IC) > Memorie > 70V3579S5BC8
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
223408670V3579S5BC8 ImagineIDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BC8

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$54.583
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    70V3579S5BC8
  • Producator / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    1.70V3579S5BC8.pdf
    2.70V3579S5BC8.pdf
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    -
  • Tensiune - Aprovizionare
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    256-LBGA
  • Alte nume
    IDT70V3579S5BC8
    IDT70V3579S5BC8-ND
  • Temperatura de Operare
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    SRAM
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • descriere detaliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • Numărul părții de bază
    IDT70V3579
  • Timpul de acces
    5ns

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „70V3579S5BC8”.
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4BC

70V3579S4BC

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3569S6DRI

70V3569S6DRI

Descriere: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4BC8

70V3579S4BC8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Descriere: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producători: IDT (Integrated Device Technology)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.