Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP2M007A065HG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5078796GP2M007A065HG ImagineGlobal Power Technologies Group

GP2M007A065HG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP2M007A065HG
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP2M007A065HG.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 3.25A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    120W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1072pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 6.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6.5A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP2M007A065HG”.
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A050HG

GP2M005A050HG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M007A080F

GP2M007A080F

Descriere: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Descriere: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Descriere: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.