Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP2M002A065HG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2715365GP2M002A065HG ImagineGlobal Power Technologies Group

GP2M002A065HG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP2M002A065HG
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP2M002A065HG.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    52W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    353pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP2M002A065HG”.
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

Descriere: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2L26

GP2L26

Descriere: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

Descriere: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Descriere: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 2A

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.