Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP1M020A060M
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6374027GP1M020A060M ImagineGlobal Power Technologies Group

GP1M020A060M

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP1M020A060M
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP1M020A060M.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    347W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2097pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP1M020A060M”.
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Descriere: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Descriere: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Descriere: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Descriere: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU

Producători: Socle Technology Corporation
In stoc
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Descriere: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Descriere: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Descriere: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Producători: Socle Technology Corporation
In stoc
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Descriere: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Descriere: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Producători: Socle Technology Corporation
In stoc
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Descriere: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.