Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP1M007A090H
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2113413GP1M007A090H ImagineGlobal Power Technologies Group

GP1M007A090H

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP1M007A090H
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 900V 7A TO220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP1M007A090H.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    250W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    1560-1165-1
    1560-1165-1-ND
    1560-1165-5
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1969pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    900V
  • descriere detaliata
    N-Channel 900V 7A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP1M007A090H”.
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Descriere: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Descriere: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Descriere: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Descriere: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Descriere: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Descriere: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Descriere: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Descriere: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Descriere: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Descriere: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Descriere: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Descriere: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Descriere: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.