Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > S12JR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2971229

S12JR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
200+
$2.94
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    S12JR
  • Producator / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.S12JR.pdf
    2.S12JR.pdf
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    12A
  • Tensiune - Defalcare
    DO-4
  • Serie
    -
  • Starea RoHS
    Bulk
  • Timp de recuperare invers (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    -
  • Polarizare
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Alte nume
    S12JRGN
  • Tipul de montare
    Chassis, Stud Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Codul producătorului
    S12JR
  • Descriere extinsă
    Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Configurarea diodelor
    10µA @ 50V
  • Descriere
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    600V
  • Capacitate @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „S12JR”.
S12JC M6G

S12JC M6G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12MC M6G

S12MC M6G

Descriere: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12KR

S12KR

Descriere: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
S12K

S12K

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12M

S12M

Descriere: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12J

S12J

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12GR

S12GR

Descriere: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.