Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > GB50SLT12-247
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1504988GB50SLT12-247 ImagineGeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$107.46
10+
$100.748
25+
$96.046
100+
$90.673
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GB50SLT12-247
  • Producator / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GB50SLT12-247.pdf
  • Modelul ECAD
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    50A
  • Tensiune - Defalcare
    TO-247AC
  • Serie
    -
  • Starea RoHS
    Tube
  • Timp de recuperare invers (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    2940pF @ 1V, 1MHz
  • Polarizare
    TO-247-2
  • Alte nume
    1242-1179
    GB50SLT12247
  • Temperatura de funcționare - Junction
    0ns
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Codul producătorului
    GB50SLT12-247
  • Descriere extinsă
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC
  • Configurarea diodelor
    1mA @ 1200V
  • Descriere
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1.8V @ 50A
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitate @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GB50SLT12-247”.
SD103AWS-TP

SD103AWS-TP

Descriere: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
S3K-E3/57T

S3K-E3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ES1D-TP

ES1D-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producători: Micro Commercial Co
In stoc
RFQ
SB550A-E3/54

SB550A-E3/54

Descriere: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SBR5E60P5-7D

SBR5E60P5-7D

Descriere: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
VS-40HFR40M

VS-40HFR40M

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
AU3PJHM3/86A

AU3PJHM3/86A

Descriere: DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
S3MB

S3MB

Descriere: DIODE GP 1000V 3A SMB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SK310BE3/TR13

SK310BE3/TR13

Descriere: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
FFPF15S60STU

FFPF15S60STU

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
AS3PKHM3_A/I

AS3PKHM3_A/I

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 2.1A TO277A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N4006G

1N4006G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
S15DLWHRVG

S15DLWHRVG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SOD123W

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Descriere: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RS2MAHM2G

RS2MAHM2G

Descriere: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
BYT51D-TR

BYT51D-TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SR206HA0G

SR206HA0G

Descriere: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH2PBHE3/85A

ESH2PBHE3/85A

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
VS-1N3208R

VS-1N3208R

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.