Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > GAP05SLT80-220
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3559811GAP05SLT80-220 ImagineGeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10+
$295.486
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GAP05SLT80-220
  • Producator / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GAP05SLT80-220.pdf
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    50mA (DC)
  • Tensiune - Defalcare
    -
  • Serie
    -
  • Starea RoHS
    Tube
  • Timp de recuperare invers (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    25pF @ 1V, 1MHz
  • Polarizare
    Axial
  • Alte nume
    1242-1257
  • Temperatura de funcționare - Junction
    0ns
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Codul producătorului
    GAP05SLT80-220
  • Descriere extinsă
    Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole
  • Configurarea diodelor
    3.8µA @ 8000V
  • Descriere
    DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    4.6V @ 50mA
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    8000V (8kV)
  • Capacitate @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GAP05SLT80-220”.
SRAS2060HMNG

SRAS2060HMNG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GAP185

GAP185

Descriere: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Producători: Carlo Gavazzi
In stoc
RFQ
MUR8100E

MUR8100E

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
MBR40250T

MBR40250T

Descriere: DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220AB

Producători: ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ESH2PC-E3/84A

ESH2PC-E3/84A

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RGP10KE-E3/54

RGP10KE-E3/54

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
GF1K

GF1K

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SMD110PL-TP

SMD110PL-TP

Descriere: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
ESH3D V6G

ESH3D V6G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ES1A

ES1A

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RO 2CV1

RO 2CV1

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL

Producători: Sanken Electric Co., Ltd.
In stoc
RFQ
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

Descriere: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
S2BTR

S2BTR

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Producători: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In stoc
RFQ
GAP9

GAP9

Descriere: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Producători: Carlo Gavazzi
In stoc
RFQ
GB05SLT12-220

GB05SLT12-220

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
APD360VRTR-G1

APD360VRTR-G1

Descriere: DIODE SCHOTTKY

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Descriere: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
SR1502 A0G

SR1502 A0G

Descriere: DIODE SCHOTTKY 20V 15A R-6

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
HER153-AP

HER153-AP

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.